IRFB4110 — N-канальный MOSFET в корпусе TO-220AB: напряжение сток-исток 100 В, предельный ток стока по кристаллу 180 А, сопротивление открытого канала не более 4,5 мОм при затворе 10 В и рассеиваемая мощность 370 Вт. Его используют в синхронных выпрямителях, источниках питания, инверторах, батарейных системах и драйверах двигателей. Заменой служат другие MOSFET на 100 В с низким сопротивлением канала — CRST030N10N, NCEP026N10, TK100E10N1, PSMN4R3-100PS. При подборе сравнивают реальное тепловыделение с учётом корпуса: ток 180 А относится к кристаллу, а не к выводам TO-220.
Содержание руководства (11 разделов)
Что это за транзистор
IRFB4110 — мощный N-канальный полевой транзистор с очень низким сопротивлением открытого канала. Низкое сопротивление означает меньше потерь проводимости, поэтому прибор применяют там, где через ключ идёт большой ток при напряжении до 100 В.
Типичные применения — синхронное выпрямление в импульсных источниках и блоках бесперебойного питания, входные и выходные каскады преобразователей, защита и коммутация в батарейных сборках, драйверы двигателей. В таких схемах решающими становятся потери проводимости и переключения, а также отвод тепла.
Параметры
Ток 180 А — это предел кристалла. В корпусе TO-220 реальный ток ограничен выводами, толщиной дорожек и теплоотводом, поэтому на практике ориентируются на 100–120 А при хорошем радиаторе и коротких импульсах. Сравнивать приборы только по паспортному току недостаточно.
| Параметр | IRFB4110 |
|---|---|
| Напряжение сток-исток | 100 В |
| Предельный ток стока по кристаллу | 180 А |
| Практический предел для TO-220 | около 120 А |
| Сопротивление канала при 10 В | не более 4,5 мОм |
| Рассеиваемая мощность | 370 Вт |
| Заряд затвора | около 150 нКл |
| Входная ёмкость | около 9,6 нФ |
| Корпус | TO-220AB |
| Рабочая температура перехода | до 175 °C |
Замена и совместимость
CRST030N10N на 100 В и 180 А с сопротивлением около 2,3 мОм, NCEP026N10 на 100 В и 200 А с 2,6 мОм и SFP032N100C3 на 100 В и 260 А с 2,6 мОм подходят как более мощные варианты в том же классе напряжения. TK100E10N1 на 100 В и 207 А с сопротивлением около 3,4 мОм — близкий по смыслу прибор от другого производителя.
PSMN4R3-100PS на 100 В и 120 А с сопротивлением 4,3 мОм ближе всего к исходному IRFB4110 по параметрам и удобен, когда не нужен запас по току. Автомобильное исполнение AUIRFB4110 отличается Qualification-требованиями и для обычной схемы не обязательно.
Все перечисленные приборы — N-канальные MOSFET на 100 В. Заменять ими IRFB4110 можно, но перед установкой сверяют цоколёвку корпуса, заряд затвора и тепловое сопротивление. Приборы с меньшим напряжением, например IRFZ44N на 55 В, в цепь на 100 В не ставят.
Что проверить перед заменой
- Напряжение сток-исток с запасом на выбросы.
- Сопротивление канала при рабочей температуре.
- Заряд затвора и возможности драйвера.
- Тепловое сопротивление корпуса и площадь радиатора.
- Ток через выводы и сечение дорожек платы.
- Скорость обратного восстановления встроенного диода, если он работает в схеме.
Типичные ошибки
- Ориентация на ток 180 А без учёта ограничений корпуса TO-220.
- Замена на прибор с меньшим напряжением или большим сопротивлением канала.
- Расчёт потерь без пересчёта на рабочую температуру.
- Игнорирование заряда затвора при слабом драйвере.
- Покупка перемаркированных приборов по низкой цене без проверки партии.
- Отсутствие снаббера и ограничения скорости переключения при индуктивной нагрузке.
Частые вопросы
- Чем заменить IRFB4110 — CRST030N10N, NCEP026N10, TK100E10N1 или PSMN4R3-100PS.
- Можно ли поставить IRF3205 — нет, у него 55 В; для цепи 100 В он не подходит.
- Почему ток 180 А не означает работу на 180 А — это предел кристалла, корпус TO-220 ограничивает сильнее.
- Нужен ли радиатор — нужен, при больших токах рассеиваемая мощность значительна.
- Как проверить подлинность — по маркировке, партии и внешнему виду; окончательно — измерением параметров на стенде.
Чем полезен такой заказ через нас
У MOSFET с низким сопротивлением канала совпадает корпус, но различаются напряжение, заряд затвора и происхождение, а под маркой известных серий часто продают перемаркированные приборы. Мы сверяем полное обозначение и партию, проверяем корпус и при отсутствии нужного исполнения подбираем совместимый вариант по напряжению, току и тепловому режиму.
Детали, названные в этом руководстве
КаталогКаждая позиция — это деталь или семейство, о которых идёт речь в руководстве, со ссылкой на карточку в каталоге: параметры, корпус, стадия жизненного цикла и datasheet, если он у нас локализован. Там, где в тексте названо семейство, в таблице стоит конкретный заказной партномер со склада. Если позиции из руководства в списке нет — значит, её у нас сейчас нет: пришлите номер, и она уйдёт в подбор вместе с остальными.
| Партномер | Производитель | Описание |
|---|---|---|
| IRFB4110PBFDatasheet | Infineon Technologies | Infineon HEXFET® IRFB4110PBF, N-Channel MOSFET, 100 Vdss, 120 A continuous drain, 4.5 mOhm Rds(on) at 10 V, 210 nC gate charge, TO-220AB through-hole package, -55°C to 175°C. |
Примените это к своей спецификации
Отправьте партномера или файл спецификации (Excel / CSV). По каждой строке проверим складские остатки в Шэньчжэне, наличие заводской упаковки и проверенные аналоги — с отгрузкой единой партией.
Запрос успешно отправлен!
Ваш запрос по позиции (ICBOMS) зарегистрирован. Номер заявки:
1. Служба закупок в Шэньчжэне проверяет реальные физические остатки на складах и Data Code.
2. Официальный расчет с ценами, сроками и условиями DDP будет отправлен на в течение 2-24 ч.
Как написано это руководство
Руководство написано службой поставок ICBOMS в Шэньчжэне и выверено по документам производителей и стандартам, на которые ссылается текст. Формулировки ограничены тем, что делает эта служба, и тем, как оценивают деталь — без ориентировочных цен, сроков поставки и остатков: всё это считается по каждой строке отдельно, по факту проверки. Дата последней вычитки стоит в начале страницы.