Rào chắn cách ly và CTR — hai con số quyết định sự phù hợp với BOM
FOD817D mang lại khả năng cách ly 5000 Vrms giữa ngõ vào và ngõ ra — đây là điện áp thử đỉnh mà linh kiện chịu được trong một phút theo UL 1577, không phải điện áp làm việc. Đối với cách ly gia cố ở điện áp lưới, định mức điện áp làm việc phải được giảm dần (derate) từ con số thử đỉnh; thử nghiệm 5000 Vrms thường hỗ trợ điện áp làm việc 250 Vrms ở mức ô nhiễm 2, nhưng khoảng cách rò (creepage) và khe hở (clearance) thực tế của hệ thống vẫn là yếu tố quyết định chứng nhận an toàn. Tỷ số truyền dòng được quy định dưới dạng dải: tối thiểu 300% đến tối đa 600% tại If = 5 mA. Điều này nghĩa là transistor ngõ ra có thể hút dòng gấp 3 đến 6 lần dòng LED — dòng thuận 5 mA cho khả năng kéo tải ngõ ra 15 đến 30 mA. Dải CTR rộng có ý nghĩa với năng suất sản xuất: thiết kế phải làm việc được ở mức sàn 300%, không phải giá trị điển hình, vì CTR thực tế của từng linh kiện chưa biết cho đến khi được kiểm tra. Vce(sat) tối đa 200 mV ở dòng ngõ ra định mức — đây là điện áp rơi trên phototransistor khi dẫn hoàn toàn. Trong giao diện logic 5 V, mức bão hòa 200 mV để lại 4,8 V tại chân ngõ ra, cao hơn hẳn ngưỡng VIH của hầu hết ngõ vào CMOS. Khi chuyển mạch phía cao gần mức tối đa 70 V của ngõ ra, điện áp bão hòa cộng thêm vào mức sụt điện áp tải và phải được tính vào bài toán tổn hao công suất.
Dải nhiệt độ và tốc độ chuyển mạch cho điều khiển công nghiệp
Nhiệt độ vận hành trải từ -55°C đến +110°C, bao phủ tủ công nghiệp và khu vực điện tử ô tô gần khoang máy mà không cần giảm định mức. Thời gian tăng 4 µs và thời gian giảm 3 µs (điển hình) giới hạn tốc độ dữ liệu tối đa ở khoảng 100 kbit/s trong ứng dụng chuyển mạch bão hòa — đủ nhanh cho đồng bộ tần số lưới 50/60 Hz, ngõ vào số PLC và phản hồi điện áp bus DC, nhưng không dành cho cách ly nối tiếp tốc độ cao. Điện áp thuận điển hình 1,2 V tại If = 20 mA, và dòng thuận tối đa tuyệt đối là 50 mA DC. Loại ngõ vào DC nghĩa là LED chỉ dẫn điện theo một cực tính — cần bảo vệ điện áp ngược nếu nguồn lái có thể đảo chiều âm.