SRAM 4Mbit для реалий полевой замены
CY62147EV30LL-45BVXA от Infineon — параллельная SRAM ёмкостью 4Mbit из серии MoBL® с организацией 256K x 16, временем доступа 45 ns и шиной питания 2,2 V. Доступ 45 ns — ключевой параметр для обеспечения временных соотношений (timing closure): он совпадает с длительностью цикла записи, поэтому при чередовании чтений и записей на шине нет штрафа страничного режима (page-mode).
Температурное исполнение и его значение на месте
Питание 2,2 V лежит в диапазоне одноэлементного Li-ion, поэтому микросхема подходит для низковольтных схем с резервным питанием от батареи без регулятора. Корпус 48VFBGA — это BGA с мелким шагом выводов (fine-pitch), его не заменить паяльником и пинцетом в полевых условиях у заказчика. Если на плате есть панелька (socket) или станция перепайки (rework) — хорошо; в противном случае предусмотрите профиль горячего воздуха и трафарет.